Λίγο μετά την ανακοίνωση της νέας σειράς Samsung Galaxy S10, η εταιρεία προχωράει με μια άλλη μεγάλη ανακοίνωση. Κάποιος θα υποστήριζε ότι είναι εξίσου σημαντικό για ολόκληρη τη βιομηχανία smartphones. Μιλάμε για τις πρώτες μνήμες 512GB eUFS 3.0 που προσφέρουν εξαιρετική απόδοση σε σχέση με την προηγούμενη γενιά.
Τα νέα τσιπ 512GB eUFS 3.0 είναι ήδη σε μαζική παραγωγή και ξεπερνούν το eUFS 2.1. Ο executive vice president του τμήματος πωλήσεων μνημών και μάρκετινγκ στη Samsung Electronics προχώρησε ακόμη περισσότερο και είπε ότι το νέο πρότυπο θα εναρμονιστεί τελικά με τους εξαιρετικά λεπτούς φορητούς υπολογιστές από την άποψη της απόδοσης της αποθήκευσης.
Η μνήμη 512GB eUFS 3.0 περιλαμβάνει οκτώ από 5ης γενιάς 512-gigabit V-NAND dies χρησιμοποιώντας ένα νέο ελεγκτή υψηλής απόδοσης. Μπορεί να φτάσει τις ταχύτητες ανάγνωσης 2.100 MB / s, που είναι διπλάσιες από τις τρέχουσες σε eUFS 2.1. Στην πραγματικότητα, η ταχύτητα ανάγνωσης είναι περίπου τέσσερις φορές ταχύτερη από τα συμβατικά SSD σε διασύνδεση SATA. Οι ταχύτητες εγγραφής θα πρέπει να είναι περίπου 410 MB / s – στο ίδιο επίπεδο με τα SSD SSD.
George S. Metallidis
https://www.techlog.gr
Πηγή https://www.gsmarena.com/samsung_starts_mass_producing_worlds_first_512gb_eufs_30_storage_solution-news-35740.php
